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onsemi FGH50T65SQD-F155

Hersteller
onsemiAsian Brands
Herst.-Teilenr.
FGH50T65SQD-F155
LCSC-Nr.
C132704
Verp.
TO-247-3
Kundennummer
Hauptmerkm.
268W -55℃~+175℃@(Tj) 100A 650V Trench Field Stop 200A 0.045mJ 0.18mJ TO-247-3 Single IGBTs RoHS
Datenblattonsemi FGH50T65SQD-F155
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
1+$ 3.1417$ 3.14
10+$ 2.8343$ 28.34
30+$ 2.6423$ 79.27
100+$ 2.4444$ 244.44
500+$ 2.3559$ 1177.95
1,000+$ 2.2794$ 2279.40
2,000+$ 2.2989$ 4597.80
4,000+$ 2.2869$ 9147.60
Standardgehäuse30/Full Tube
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs
Herstelleronsemi
Verp.TO-247-3
Power Dissipation (Pd)268W
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Collector Current (Ic)100A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)650V
Input Capacitance (Cies@Vce)-
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)-
TypeTrench Field Stop
Diode Reverse Recovery Time (Trr)31ns
Pulsed Collector Current (Icm)200A
Turn?off Switching Loss (Eoff)0.045mJ
Turn?on Switching Loss (Eon)0.18mJ
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