HXY MOSFET 2SA1015

Producent	HXY MOSFETAsian Brands
Nr części prod.	2SA1015
Nr LCSC	C5189099
Opak.	SOT-23
Numer Klienta
Klucz. cechy	+150℃@(Tj) 80MHz 300mV@100mA,10mA SOT-23 Single Bipolar Transistors
Karta Katalogowa	HXY MOSFET 2SA1015

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23

Typ	Opis
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Na stanie: 100

100 W magazynie, wysyłka natychmiastowa

Minimum: 50Wielokrotność: 50Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.	Suma całkowita
50+	$ 0.0088	$ 0.44
500+	$ 0.0051	$ 2.55
3,000+	$ 0.0047	$ 14.10
24,000+	$ 0.0046	$ 110.40
Standardowa Obudowa3000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23

Typ	Opis
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA