onsemi SMUN5235DW1T1G

Producent	onsemiAsian Brands
Nr części prod.	SMUN5235DW1T1G
Nr LCSC	C894405
Opak.	SOT-363
Numer Klienta
Klucz. cechy	80@5mA,10V 250mV@10mA,1mA SOT-363 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Karta Katalogowa	onsemi SMUN5235DW1T1G

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	onsemi
Opak.	SOT-363
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,1mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	onsemi
Opak.	SOT-363

Typ	Opis
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,1mA

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Na stanie: 100

100 W magazynie, wysyłka natychmiastowa

Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.	Suma całkowita
1+	$ 0.2409	$ 0.24
6+	$ 0.1951	$ 1.17
50+	$ 0.1755	$ 8.78
200+	$ 0.1511	$ 30.22
500+	$ 0.1402	$ 70.10
1,600+	$ 0.1166	$ 186.56
Standardowa Obudowa3000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	onsemi
Opak.	SOT-363
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,1mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	onsemi
Opak.	SOT-363

Typ	Opis
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,1mA