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TOSHIBA TBD62083AFWG(Z,EHZ

Fabricant
TOSHIBAAsian Brands
Réf. Fab.
TBD62083AFWG(Z,EHZ
Réf. LCSC
C108880
Condit.
SOP-18-300mil
Numéro Client
Caract. clés
1uA@50V 2.5V@2V,100mA 2V@350mA 1uA 100uA@2.5V 500mA 15pF SOP-18-300mil Bipolar Transistor Arrays
Fiche TechniqueTOSHIBA TBD62083AFWG(Z,EHZ
Garantie sur chaque commande
100% Authentique · Retour ou échange sous 30 Jours
En stock: 19,684
19,684 En stock, expédition immédiate
Minimum: 1Multiple: 1Unité de vente: Piece
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QtéPrix unit.Montant total
1+$ 0.4454$ 0.45
10+$ 0.3816$ 3.82
30+$ 0.3375$ 10.13
100+$ 0.2995$ 29.95
500+$ 0.2889$ 144.45
1,000+$ 0.2813$ 281.30
2,000+$ 0.2797$ 559.40
4,000+$ 0.2767$ 1106.80
Boîtier Standard1000/Full Reel
Meilleur prix pour une plus grande quantité ?
$

Spécifications du Produit

Tout
TypeDescription
CatégorieDiscrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
FabricantTOSHIBA
Condit.SOP-18-300mil
Clamp Diode Leakage Current (IR@VR)1uA@50V
ON-state input voltage(VI(on)@Vce,Ic)2.5V@2V,100mA
Clamp Diode Forward Voltage (VF@IF)2V@350mA
Off-state input current (Ii(off)@Vce,Ic)1uA
Input current (Ii@Vi)100uA@2.5V
Collector Current(Ic)500mA
Input Capacitance (Ci)15pF
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