ROHM Semicon DTA114TUAT106

製造商	ROHM SemiconAsian Brands
製造商料號	DTA114TUAT106
LCSC 編號	C2987910
包裝	SOT-323-3
客戶編號
關鍵特性	100@1mA,5V 300mV@10mA,1mA SOT-323-3 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
數據手冊	ROHM Semicon DTA114TUAT106

產品規格

全選

類型	描述
類別	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
製造商	ROHM Semicon
包裝	SOT-323-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

類型	描述
類別	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
製造商	ROHM Semicon
包裝	SOT-323-3

類型	描述
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

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類別	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
製造商	ROHM Semicon
包裝	SOT-323-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

類型	描述
類別	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
製造商	ROHM Semicon
包裝	SOT-323-3

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DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA