onsemi MMUN2113LT1G

Hersteller	onsemiAsian Brands
Herst.-Teilenr.	MMUN2113LT1G
LCSC-Nr.	C891740
Verp.	SOT-23-3
Kundennummer
Hauptmerkm.	80@5mA,10V 250mV@10mA,300uA SOT-23-3 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Datenblatt	onsemi MMUN2113LT1G

Produktspezifikationen

Alle

Typ	Beschreibung
Kategorie	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Hersteller	onsemi
Verp.	SOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

Typ	Beschreibung
Kategorie	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Hersteller	onsemi
Verp.	SOT-23-3

Typ	Beschreibung
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

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Typ	Beschreibung
Kategorie	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Hersteller	onsemi
Verp.	SOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

Typ	Beschreibung
Kategorie	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Hersteller	onsemi
Verp.	SOT-23-3

Typ	Beschreibung
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA