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TOSHIBA TBD62083AFWG(Z,EHZ

Hersteller
TOSHIBAAsian Brands
Herst.-Teilenr.
TBD62083AFWG(Z,EHZ
LCSC-Nr.
C108880
Verp.
SOP-18-300mil
Kundennummer
Hauptmerkm.
1uA@50V 2.5V@2V,100mA 2V@350mA 1uA 100uA@2.5V 500mA 15pF SOP-18-300mil Bipolar Transistor Arrays
DatenblattTOSHIBA TBD62083AFWG(Z,EHZ
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1+$ 0.4454$ 0.45
10+$ 0.3816$ 3.82
30+$ 0.3375$ 10.13
100+$ 0.2995$ 29.95
500+$ 0.2889$ 144.45
1,000+$ 0.2813$ 281.30
2,000+$ 0.2797$ 559.40
4,000+$ 0.2767$ 1106.80
Standardgehäuse1000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
HerstellerTOSHIBA
Verp.SOP-18-300mil
Clamp Diode Leakage Current (IR@VR)1uA@50V
ON-state input voltage(VI(on)@Vce,Ic)2.5V@2V,100mA
Clamp Diode Forward Voltage (VF@IF)2V@350mA
Off-state input current (Ii(off)@Vce,Ic)1uA
Input current (Ii@Vi)100uA@2.5V
Collector Current(Ic)500mA
Input Capacitance (Ci)15pF
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