TOSHIBA RN2105MFV,L3F(CT

Producent	TOSHIBAAsian Brands
Nr części prod.	RN2105MFV,L3F(CT
Nr LCSC	C2929214
Opak.	SOT-723
Numer Klienta
Klucz. cechy	80@10mA,5V 300mV@5mA,500uA SOT-723 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Karta Katalogowa	TOSHIBA RN2105MFV,L3F(CT

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	TOSHIBA
Opak.	SOT-723
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	TOSHIBA
Opak.	SOT-723

Typ	Opis
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Na stanie: 100

100 W magazynie, wysyłka natychmiastowa

Minimum: 5Wielokrotność: 5Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.	Suma całkowita
5+	$ 0.0875	$ 0.44
50+	$ 0.0689	$ 3.45
150+	$ 0.0585	$ 8.78
500+	$ 0.0523	$ 26.15
2,500+	$ 0.0469	$ 117.25
5,000+	$ 0.044	$ 220.00
Standardowa Obudowa8000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	TOSHIBA
Opak.	SOT-723
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	TOSHIBA
Opak.	SOT-723

Typ	Opis
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA