LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
onsemi MMBT6427LT1G product image
  • MMBT6427LT1G thumbnail 1
  • MMBT6427LT1G thumbnail 2
  • MMBT6427LT1G thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

onsemi MMBT6427LT1G

Producent
onsemiAsian Brands
Nr części prod.
MMBT6427LT1G
Nr LCSC
C274695
Opak.
SOT-23
Numer Klienta
Klucz. cechy
225mW -55℃~+150℃@(Tj) 20000@5V,100mA 1.5V@500mA,500uA 1uA SOT-23 Single Bipolar Transistors RoHS
Karta Katalogowaonsemi MMBT6427LT1G
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 120
120 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 10Wielokrotność: 10Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
10+$ 0.054$ 0.54
100+$ 0.0445$ 4.45
300+$ 0.0398$ 11.94
3,000+$ 0.0329$ 98.70
6,000+$ 0.0301$ 180.60
9,000+$ 0.0287$ 258.30
21,000+$ 0.0283$ 594.30
39,000+$ 0.0281$ 1095.90
Standardowa Obudowa3000/Full Reel
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producentonsemi
Opak.SOT-23
Power Dissipation (Pd)225mW
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
DC current gain (hFE@Vce,Ic)20000@5V,100mA
Transition Frequency (fT)-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.5V@500mA,500uA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)1uA