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HUAYI HY1001D

Hersteller
HUAYIAsian Brands
Herst.-Teilenr.
HY1001D
LCSC-Nr.
C2983279
Verp.
TO-252-2
Kundennummer
Hauptmerkm.
70V 75W -55℃~+175℃@(Tj) 70A 7.4mΩ@10V,40A 3V@250uA 220pF@25V N Channel 4.2nF@25V 82nC@10V TO-252-2 Single FETs, MOSFETs
DatenblattHUAYI HY1001D
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2,500+$ 0.1877$ 469.25
5,000+$ 0.1862$ 931.00
Standardgehäuse2500/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerHUAYI
Verp.TO-252-2
Drain Source Voltage (Vdss)70V
Power Dissipation (Pd)75W
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Continuous Drain Current (Id)70A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)7.4mΩ@10V,40A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)3V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)220pF@25V
TypeN Channel
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.2nF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)82nC@10V
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