ROHM Semicon DTA114TUAT106
| Hersteller | ROHM SemiconAsian Brands |
| Herst.-Teilenr. | DTA114TUAT106 |
| LCSC-Nr. | C2987910 |
| Verp. | SOT-323-3 |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | 100@1mA,5V 300mV@10mA,1mA SOT-323-3 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS |
| Datenblatt | ROHM Semicon DTA114TUAT106 |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Hersteller | ROHM Semicon | |
| Verp. | SOT-323-3 | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,1mA |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Hersteller | ROHM Semicon | |
| Verp. | SOT-323-3 |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,1mA |
Hilfe & FeedbackÄhnliche Produkte anzeigen (0) >
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch
Vorrätig: 100
100 Ab Lager, sofort versandfertig
Nicht für Neuentwicklungen empfohlen
Nach Abverkauf wird dieser Artikel als „Nicht verfügbar“ gekennzeichnet.
Benachrichtigen
Minimum: 10Vielfaches: 10Verkaufseinheit: Piece
| Stk. | E-Preis | Gesamtbetrag |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0407 | $ 0.41 |
| 100+ | $ 0.0334 | $ 3.34 |
| 300+ | $ 0.0297 | $ 8.91 |
| 3,000+ | $ 0.027 | $ 81.00 |
| 6,000+ | $ 0.0248 | $ 148.80 |
| 9,000+ | $ 0.0237 | $ 213.30 |
Standardgehäuse3000/Full Reel | ||
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Hersteller | ROHM Semicon | |
| Verp. | SOT-323-3 | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,1mA |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors | |
| Hersteller | ROHM Semicon | |
| Verp. | SOT-323-3 |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,1mA |
Hilfe & FeedbackÄhnliche Produkte anzeigen (0) >
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
| Typ | Details |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
