Infineon BCV61CE6327HTSA1

Producent	InfineonAsian Brands
Nr części prod.	BCV61CE6327HTSA1
Nr LCSC	C151493
Opak.	TO-253-4
Numer Klienta
Klucz. cechy	30V 300mW 100mA 2PCSNPN(Base collector junction box) TO-253-4 Special Purpose Transistors
Karta Katalogowa	Infineon BCV61CE6327HTSA1

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Producent	Infineon
Opak.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Producent	Infineon
Opak.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V

Typ	Opis
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Na stanie: 100

100 W magazynie, wysyłka natychmiastowa

Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.	Suma całkowita
1+	$ 0.3015	$ 0.30
10+	$ 0.294	$ 2.94
30+	$ 0.288	$ 8.64
100+	$ 0.2835	$ 28.35
Standardowa Obudowa3000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Producent	Infineon
Opak.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Producent	Infineon
Opak.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V

Typ	Opis
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)