ROHM Semicon DTA114TUAT106

Producent	ROHM SemiconAsian Brands
Nr części prod.	DTA114TUAT106
Nr LCSC	C2987910
Opak.	SOT-323-3
Numer Klienta
Klucz. cechy	100@1mA,5V 300mV@10mA,1mA SOT-323-3 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Karta Katalogowa	ROHM Semicon DTA114TUAT106

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	ROHM Semicon
Opak.	SOT-323-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	ROHM Semicon
Opak.	SOT-323-3

Typ	Opis
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Na stanie: 100

100 W magazynie, wysyłka natychmiastowa

Niezalecane do nowych projektów

Po wyczerpaniu zapasów produkt zostanie oznaczony jako „Niedostępny”.

Powiadom mnie

Minimum: 10Wielokrotność: 10Jednostka sprzedaży: Piece

Szt.	Cena jedn.	Suma całkowita
10+	$ 0.0407	$ 0.41
100+	$ 0.0334	$ 3.34
300+	$ 0.0297	$ 8.91
3,000+	$ 0.027	$ 81.00
6,000+	$ 0.0248	$ 148.80
9,000+	$ 0.0237	$ 213.30
Standardowa Obudowa3000/Full Reel

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	ROHM Semicon
Opak.	SOT-323-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	ROHM Semicon
Opak.	SOT-323-3

Typ	Opis
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA