HXY MOSFET SS8050

Producent	HXY MOSFETAsian Brands
Nr części prod.	SS8050
Nr LCSC	C5184428
Opak.	SOT-23
Numer Klienta
Klucz. cechy	200@100mA,1V +150℃@(Tj) 100MHz 500mV@800mA,80mA SOT-23 Single Bipolar Transistors
Karta Katalogowa	HXY MOSFET SS8050

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	200@100mA,1V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@800mA,80mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	200@100mA,1V

Typ	Opis
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@800mA,80mA

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Na stanie: 26,600

26,600 W magazynie, wysyłka natychmiastowa

Minimum: 50Wielokrotność: 50Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.	Suma całkowita
50+	$ 0.0104	$ 0.52
500+	$ 0.0057	$ 2.85
3,000+	$ 0.0056	$ 16.80
6,000+	$ 0.0055	$ 33.00
51,000+	$ 0.0054	$ 275.40
Standardowa Obudowa3000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	200@100mA,1V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@800mA,80mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	200@100mA,1V

Typ	Opis
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@800mA,80mA