HXY MOSFET 2SC1623

Producent	HXY MOSFETAsian Brands
Nr części prod.	2SC1623
Nr LCSC	C5189100
Opak.	SOT-23
Numer Klienta
Klucz. cechy	300@1mA,6V +150℃@(Tj) 250MHz 300mV@100mA,10mA SOT-23 Single Bipolar Transistors
Karta Katalogowa	HXY MOSFET 2SC1623

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	300@1mA,6V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	300@1mA,6V

Typ	Opis
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Na stanie: 1,650

1,650 W magazynie, wysyłka natychmiastowa

Minimum: 50Wielokrotność: 50Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.	Suma całkowita
50+	$ 0.0081	$ 0.41
500+	$ 0.0048	$ 2.40
3,000+	$ 0.0042	$ 12.60
6,000+	$ 0.0041	$ 24.60
Standardowa Obudowa3000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	300@1mA,6V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	HXY MOSFET
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	300@1mA,6V

Typ	Opis
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA