Nexperia BC858B,235

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	220@2mA,5V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	220@2mA,5V

Typ	Opis
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Brak w magazynie

Powiadom mnie

Minimum: 20Wielokrotność: 20Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.(Tylko do wglądu)	Suma całkowita
20+	$ 0.0219	$ 0.44
200+	$ 0.0126	$ 2.52
600+	$ 0.0124	$ 7.44
2,000+	$ 0.0122	$ 24.40
10,000+	$ 0.0115	$ 115.00
20,000+	$ 0.0114	$ 228.00
Standardowa Obudowa10000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	220@2mA,5V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	220@2mA,5V

Typ	Opis
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA