LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
onsemi HGTG11N120CND product image
  • HGTG11N120CND thumbnail 1
  • HGTG11N120CND thumbnail 2
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

onsemi HGTG11N120CND

Producent
onsemiAsian Brands
Nr części prod.
HGTG11N120CND
Nr LCSC
C11755
Opak.
TO-247AC-3
Numer Klienta
Klucz. cechy
298W -55℃~+150℃@(Tj) 43A 1.2kV NPT 80A 1.3mJ 0.95mJ TO-247AC-3 Single IGBTs
Karta Katalogowaonsemi HGTG11N120CND
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 8
8 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
1+$ 5.4062$ 5.41
10+$ 4.8284$ 48.28
30+$ 4.4772$ 134.32
90+$ 4.1815$ 376.34
450+$ 4.1365$ 1861.43
Standardowa Obudowa30/Full Tube
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs
Producentonsemi
Opak.TO-247AC-3
Power Dissipation (Pd)298W
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)43A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Input Capacitance (Cies@Vce)-
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)-
TypeNPT
Diode Reverse Recovery Time (Trr)70ns
Pulsed Collector Current (Icm)80A
Turn?off Switching Loss (Eoff)1.3mJ
Turn?on Switching Loss (Eon)0.95mJ
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >