LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
onsemi FGH50T65SQD-F155 product image
  • FGH50T65SQD-F155 thumbnail 1
  • FGH50T65SQD-F155 thumbnail 2
  • FGH50T65SQD-F155 thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

onsemi FGH50T65SQD-F155

Producent
onsemiAsian Brands
Nr części prod.
FGH50T65SQD-F155
Nr LCSC
C132704
Opak.
TO-247-3
Numer Klienta
Klucz. cechy
268W -55℃~+175℃@(Tj) 100A 650V Trench Field Stop 200A 0.045mJ 0.18mJ TO-247-3 Single IGBTs RoHS
Karta Katalogowaonsemi FGH50T65SQD-F155
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 100
100 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
1+$ 3.1417$ 3.14
10+$ 2.8343$ 28.34
30+$ 2.6423$ 79.27
100+$ 2.4444$ 244.44
500+$ 2.3559$ 1177.95
1,000+$ 2.2794$ 2279.40
2,000+$ 2.2989$ 4597.80
4,000+$ 2.2869$ 9147.60
Standardowa Obudowa30/Full Tube
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs
Producentonsemi
Opak.TO-247-3
Power Dissipation (Pd)268W
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Collector Current (Ic)100A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)650V
Input Capacitance (Cies@Vce)-
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)-
TypeTrench Field Stop
Diode Reverse Recovery Time (Trr)31ns
Pulsed Collector Current (Icm)200A
Turn?off Switching Loss (Eoff)0.045mJ
Turn?on Switching Loss (Eon)0.18mJ