LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
onsemi FGA25N120ANTDTU product image
  • FGA25N120ANTDTU thumbnail 1
  • FGA25N120ANTDTU thumbnail 2
  • FGA25N120ANTDTU thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

onsemi FGA25N120ANTDTU

Producent
onsemiAsian Brands
Nr części prod.
FGA25N120ANTDTU
Nr LCSC
C462124
Opak.
TO-3P
Numer Klienta
Klucz. cechy
312W -55℃~+150℃@(Tj) 50A 1.2kV 90A 0.96mJ 4.1mJ TO-3P Single IGBTs RoHS
Karta Katalogowaonsemi FGA25N120ANTDTU
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 100
100 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
1+$ 1.4729$ 1.47
10+$ 1.2547$ 12.55
90+$ 1.1363$ 102.27
120+$ 1.0007$ 120.08
510+$ 0.9415$ 480.17
1,200+$ 0.9134$ 1096.08
Standardowa Obudowa30/Full Tube
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs
Producentonsemi
Opak.TO-3P
Power Dissipation (Pd)312W
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)50A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Input Capacitance (Cies@Vce)-
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)-
Type-
Diode Reverse Recovery Time (Trr)350ns
Pulsed Collector Current (Icm)90A
Turn?off Switching Loss (Eoff)0.96mJ
Turn?on Switching Loss (Eon)4.1mJ