Nexperia PUMD3,125

Producent	NexperiaAsian Brands
Nr części prod.	PUMD3,125
Nr LCSC	C553517
Opak.	SOT-363
Numer Klienta
Klucz. cechy	30@5mA,5V 150mV@10mA,0.5mA SOT-363 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Karta Katalogowa	Nexperia PUMD3,125

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	SOT-363
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	30@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	150mV@10mA,0.5mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	SOT-363

Typ	Opis
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	30@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	150mV@10mA,0.5mA

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Na stanie: 140

140 W magazynie, wysyłka natychmiastowa

Niezalecane do nowych projektów

Po wyczerpaniu zapasów produkt zostanie oznaczony jako „Niedostępny”.

Powiadom mnie

Minimum: 10Wielokrotność: 10Jednostka sprzedaży: Piece

Szt.	Cena jedn.	Suma całkowita
10+	$ 0.054	$ 0.54
100+	$ 0.0444	$ 4.44
300+	$ 0.0396	$ 11.88
3,000+	$ 0.0359	$ 107.70
6,000+	$ 0.0331	$ 198.60
9,000+	$ 0.0316	$ 284.40
Standardowa Obudowa3000/Full Reel

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	SOT-363
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	30@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	150mV@10mA,0.5mA

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Producent	Nexperia
Opak.	SOT-363

Typ	Opis
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	30@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	150mV@10mA,0.5mA