TOSHIBA 2SK209-GR(TE85L,F)
| Hersteller | TOSHIBAAsian Brands |
| Herst.-Teilenr. | 2SK209-GR(TE85L,F) |
| LCSC-Nr. | C61792 |
| Verp. | SOT-23-3L |
| Kundennummer | |
| Hauptmerkm. | SOT-23-3L JFETs |
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/JFETs | |
| Hersteller | TOSHIBA | |
| Verp. | SOT-23-3L | |
| Power Dissipation (Pd) | - | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - | |
| Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | - | |
| FET Type | - | |
| Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) | - | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | - | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/JFETs | |
| Hersteller | TOSHIBA | |
| Verp. | SOT-23-3L | |
| Power Dissipation (Pd) | - | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | - | |
| FET Type | - | |
| Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) | - | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | - | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | - |
Hilfe & FeedbackÄhnliche Produkte anzeigen (0) >
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch
Vorrätig: 7,400
7,400 Ab Lager, sofort versandfertig
Nicht für Neuentwicklungen empfohlen
Nach Abverkauf wird dieser Artikel als „Nicht verfügbar“ gekennzeichnet.
Benachrichtigen
Minimum: 5Vielfaches: 5Verkaufseinheit: Piece
| Stk. | E-Preis | Gesamtbetrag |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.1764 | $ 0.88 |
| 50+ | $ 0.1414 | $ 7.07 |
| 3,000+ | $ 0.1244 | $ 373.20 |
| 6,000+ | $ 0.1092 | $ 655.20 |
| 15,000+ | $ 0.105 | $ 1575.00 |
| 21,000+ | $ 0.1025 | $ 2152.50 |
| 24,000+ | $ 0.1016 | $ 2438.40 |
| 27,000+ | $ 0.1009 | $ 2724.30 |
Standardgehäuse3000/Full Reel | ||
Produktspezifikationen
Alle
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/JFETs | |
| Hersteller | TOSHIBA | |
| Verp. | SOT-23-3L | |
| Power Dissipation (Pd) | - | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - | |
| Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | - | |
| FET Type | - | |
| Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) | - | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | - | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors/JFETs | |
| Hersteller | TOSHIBA | |
| Verp. | SOT-23-3L | |
| Power Dissipation (Pd) | - | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Typ | Beschreibung | |
|---|---|---|
| Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | - | |
| FET Type | - | |
| Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) | - | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | - | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | - |
Hilfe & FeedbackÄhnliche Produkte anzeigen (0) >
Compliance & Exportcodes
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Details |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Details |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |


