onsemi MMUN2113LT1G

製造商	onsemiAsian Brands
製造商料號	MMUN2113LT1G
LCSC 編號	C891740
包裝	SOT-23-3
客戶編號
關鍵特性	80@5mA,10V 250mV@10mA,300uA SOT-23-3 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
數據手冊	onsemi MMUN2113LT1G

產品規格

全選

類型	描述
類別	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
製造商	onsemi
包裝	SOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

類型	描述
類別	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
製造商	onsemi
包裝	SOT-23-3

類型	描述
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

訂單保障

100% 正品 · 30天退換

現貨: 40

40 現貨，極速出貨

不推薦用於新設計

庫存售罄後，該商品將顯示為「無貨」。

到貨通知

最小值: 5倍數: 5銷售單位: Piece

全選

類型	描述
類別	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
製造商	onsemi
包裝	SOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

類型	描述
類別	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
製造商	onsemi
包裝	SOT-23-3

類型	描述
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA