onsemi MMBT6427LT1G

제조업체	onsemiAsian Brands
제조사 품번	MMBT6427LT1G
LCSC 번호	C274695
포장	SOT-23
고객 번호
주요 제원	225mW -55℃~+150℃@(Tj) 20000@5V,100mA 1.5V@500mA,500uA 1uA SOT-23 Single Bipolar Transistors RoHS
데이터시트	onsemi MMBT6427LT1G

제품 사양

전체

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	onsemi
포장	SOT-23
Power Dissipation (Pd)	225mW
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
DC current gain (hFE@Vce,Ic)	20000@5V,100mA
Transition Frequency (fT)	-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	1.5V@500mA,500uA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)	1uA

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	onsemi
포장	SOT-23
Power Dissipation (Pd)	225mW
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)

타입	설명
DC current gain (hFE@Vce,Ic)	20000@5V,100mA
Transition Frequency (fT)	-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	1.5V@500mA,500uA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)	1uA

모든 주문 보장

100% 정품 · 30일 반품 또는 교환

재고 있음: 120

120 재고 있음, 당일 발송

최소값: 10배수: 10판매 단위: Piece

BOM 목록에 추가

수량이 많을수록 더 좋은 가격?

$

전체

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	onsemi
포장	SOT-23
Power Dissipation (Pd)	225mW
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
DC current gain (hFE@Vce,Ic)	20000@5V,100mA
Transition Frequency (fT)	-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	1.5V@500mA,500uA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)	1uA

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	onsemi
포장	SOT-23
Power Dissipation (Pd)	225mW
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)

타입	설명
DC current gain (hFE@Vce,Ic)	20000@5V,100mA
Transition Frequency (fT)	-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	1.5V@500mA,500uA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)	1uA