HXY MOSFET 2SC1623

Fabricante	HXY MOSFETAsian Brands
Cód. da peça	2SC1623
Nº LCSC	C5189100
Emb.	SOT-23
Número do Cliente
Atrib. princ.	300@1mA,6V +150℃@(Tj) 250MHz 300mV@100mA,10mA SOT-23 Single Bipolar Transistors
Folha de Dados	HXY MOSFET 2SC1623

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	300@1mA,6V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	300@1mA,6V

Tipo	Descrição
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

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50+	$ 0.0081	$ 0.41
500+	$ 0.0048	$ 2.40
3,000+	$ 0.0042	$ 12.60
6,000+	$ 0.0041	$ 24.60
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel

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Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	300@1mA,6V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	300@1mA,6V

Tipo	Descrição
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	250MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA