Infineon BCV61CE6327HTSA1

Fabricante	InfineonAsian Brands
Cód. da peça	BCV61CE6327HTSA1
Nº LCSC	C151493
Emb.	TO-253-4
Número do Cliente
Atrib. princ.	30V 300mW 100mA 2PCSNPN(Base collector junction box) TO-253-4 Special Purpose Transistors
Folha de Dados	Infineon BCV61CE6327HTSA1

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V

Tipo	Descrição
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

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10+	$ 0.294	$ 2.94
30+	$ 0.288	$ 8.64
100+	$ 0.2835	$ 28.35
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel

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Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V

Tipo	Descrição
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)