Nexperia BC858B,235

제품 사양

전체

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	Nexperia
포장	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	220@2mA,5V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	Nexperia
포장	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	220@2mA,5V

타입	설명
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA

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카테고리	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	Nexperia
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DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	220@2mA,5V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA

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제조업체	Nexperia
포장	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	220@2mA,5V

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Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA