Nexperia PMBT3904MB,315

Fabricante	NexperiaAsian Brands
Cód. da peça	PMBT3904MB,315
Nº LCSC	C552710
Emb.	SOT-883-3
Número do Cliente
Atrib. princ.	180@10mA,1V +150℃@(Tj) 300MHz 120mV@50mA,5mA SOT-883-3 Single Bipolar Transistors

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-883-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	180@10mA,1V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	300MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	120mV@50mA,5mA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-883-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	180@10mA,1V

Tipo	Descrição
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	300MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	120mV@50mA,5mA

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Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece

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Qtd.	Preço unit.	Valor total
5+	$ 0.0743	$ 0.37
50+	$ 0.0598	$ 2.99
150+	$ 0.0526	$ 7.89
500+	$ 0.0472	$ 23.60
2,500+	$ 0.0407	$ 101.75
5,000+	$ 0.0385	$ 192.50
Encapsulamento Padrão10000/Full Reel

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Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-883-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	180@10mA,1V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	300MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	120mV@50mA,5mA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-883-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	180@10mA,1V

Tipo	Descrição
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	300MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	120mV@50mA,5mA