TOSHIBA RN2105MFV,L3F(CT

Fabricante	TOSHIBAAsian Brands
Cód. da peça	RN2105MFV,L3F(CT
Nº LCSC	C2929214
Emb.	SOT-723
Número do Cliente
Atrib. princ.	80@10mA,5V 300mV@5mA,500uA SOT-723 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Folha de Dados	TOSHIBA RN2105MFV,L3F(CT

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	TOSHIBA
Emb.	SOT-723
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	TOSHIBA
Emb.	SOT-723

Tipo	Descrição
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

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50+	$ 0.0689	$ 3.45
150+	$ 0.0585	$ 8.78
500+	$ 0.0523	$ 26.15
2,500+	$ 0.0469	$ 117.25
5,000+	$ 0.044	$ 220.00
Encapsulamento Padrão8000/Full Reel

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Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	TOSHIBA
Emb.	SOT-723
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	TOSHIBA
Emb.	SOT-723

Tipo	Descrição
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA