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EDA 모델EasyEDA
Alpha & Omega Semicon AOD5B65MQ1E
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | AOD5B65MQ1E |
| LCSC 번호 | C3193928 |
| 포장 | TO-252(DPAK) |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 52W -55℃~+150℃@(Tj) 10A 650V 15A 0.06mJ 0.09mJ TO-252(DPAK) Single IGBTs RoHS |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semicon | |
| 포장 | TO-252(DPAK) | |
| Power Dissipation (Pd) | 52W | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector Current (Ic) | 10A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Type | - | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 74ns | |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 15A | |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.06mJ | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.09mJ |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semicon | |
| 포장 | TO-252(DPAK) | |
| Power Dissipation (Pd) | 52W | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector Current (Ic) | 10A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Type | - | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 74ns | |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 15A | |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.06mJ | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.09mJ |
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5827 | $ 0.58 |
| 10+ | $ 0.5007 | $ 5.01 |
| 30+ | $ 0.4598 | $ 13.79 |
| 100+ | $ 0.4188 | $ 41.88 |
| 500+ | $ 0.3581 | $ 179.05 |
| 1,000+ | $ 0.346 | $ 346.00 |
| 2,500+ | $ 0.3414 | $ 853.50 |
| 5,000+ | $ 0.3399 | $ 1699.50 |
표준 패키지2500/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semicon | |
| 포장 | TO-252(DPAK) | |
| Power Dissipation (Pd) | 52W | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector Current (Ic) | 10A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Type | - | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 74ns | |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 15A | |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.06mJ | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.09mJ |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semicon | |
| 포장 | TO-252(DPAK) | |
| Power Dissipation (Pd) | 52W | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector Current (Ic) | 10A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - | |
| Type | - | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 74ns | |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 15A | |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.06mJ | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.09mJ |
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컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541600000 |
| USHTS | 8541600080 |
| TARIC | 8541600000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541600010 |
| BRHTS | 85416010 |
| INHTS | 85416000 |
| MXHTS | 8541.60.01 |