HXY MOSFET 2SA1015

Fabricante	HXY MOSFETAsian Brands
Cód. da peça	2SA1015
Nº LCSC	C5189099
Emb.	SOT-23
Número do Cliente
Atrib. princ.	+150℃@(Tj) 80MHz 300mV@100mA,10mA SOT-23 Single Bipolar Transistors
Folha de Dados	HXY MOSFET 2SA1015

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23

Tipo	Descrição
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

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500+	$ 0.0051	$ 2.55
3,000+	$ 0.0047	$ 14.10
24,000+	$ 0.0046	$ 110.40
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel

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Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23

Tipo	Descrição
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA