onsemi SMUN5235DW1T1G

Fabricante	onsemiAsian Brands
Cód. da peça	SMUN5235DW1T1G
Nº LCSC	C894405
Emb.	SOT-363
Número do Cliente
Atrib. princ.	80@5mA,10V 250mV@10mA,1mA SOT-363 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Folha de Dados	onsemi SMUN5235DW1T1G

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-363
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,1mA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-363

Tipo	Descrição
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,1mA

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6+	$ 0.1951	$ 1.17
50+	$ 0.1755	$ 8.78
200+	$ 0.1511	$ 30.22
500+	$ 0.1402	$ 70.10
1,600+	$ 0.1166	$ 186.56
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel

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Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-363
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,1mA

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-363

Tipo	Descrição
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,1mA