Littelfuse K2200G

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Thyristors/DIACs, SIDACs
Fabricante	Littelfuse
Emb.	DO-15
Vbo (Range Value)	205V~230V
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)
Breakover Current (Ibo)	10uA
Repetitive Peak On-state Current (Itrm)	160A
Rise Time (tr)	-
Vbo (Typ)	-

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Thyristors/DIACs, SIDACs
Fabricante	Littelfuse
Emb.	DO-15
Vbo (Range Value)	205V~230V
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)

Tipo	Descripción
Breakover Current (Ibo)	10uA
Repetitive Peak On-state Current (Itrm)	160A
Rise Time (tr)	-
Vbo (Typ)	-

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1+	$ 0.3759	$ 0.38
10+	$ 0.3695	$ 3.70
30+	$ 0.3663	$ 10.99
100+	$ 0.3616	$ 36.16
Encapsulado Estándar1000/Full Box

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Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Thyristors/DIACs, SIDACs
Fabricante	Littelfuse
Emb.	DO-15
Vbo (Range Value)	205V~230V
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)
Breakover Current (Ibo)	10uA
Repetitive Peak On-state Current (Itrm)	160A
Rise Time (tr)	-
Vbo (Typ)	-

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Thyristors/DIACs, SIDACs
Fabricante	Littelfuse
Emb.	DO-15
Vbo (Range Value)	205V~230V
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)

Tipo	Descripción
Breakover Current (Ibo)	10uA
Repetitive Peak On-state Current (Itrm)	160A
Rise Time (tr)	-
Vbo (Typ)	-