Nexperia BCV62A,215

Fabricante	NexperiaAsian Brands
N.º de pieza fab.	BCV62A,215
Nº LCSC	C549618
Emb.	SOT-143-4
Número de Cliente
Atrib. clave	30V 100@2mA,5V 250mW +150℃@(Tj) 100mA 100MHz 250mV@100mA,5mA 2PCSPNP SOT-143-4 Special Purpose Transistors
Hoja de Datos	Nexperia BCV62A,215

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-143-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@2mA,5V
Power Dissipation (Pd)	250mW
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)	100mA
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA
Transistor Type	2PCSPNP

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-143-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@2mA,5V
Power Dissipation (Pd)	250mW

Tipo	Descripción
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)	100mA
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA
Transistor Type	2PCSPNP

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Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidad de venta: Piece

Cant.	Prec. unit.	Importo total
5+	$ 0.1941	$ 0.97
30+	$ 0.157	$ 4.71
250+	$ 0.1412	$ 35.30
1,000+	$ 0.12	$ 120.00
3,000+	$ 0.1112	$ 333.60
9,000+	$ 0.1059	$ 953.10
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-143-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@2mA,5V
Power Dissipation (Pd)	250mW
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)	100mA
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA
Transistor Type	2PCSPNP

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-143-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@2mA,5V
Power Dissipation (Pd)	250mW

Tipo	Descripción
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)	100mA
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@100mA,5mA
Transistor Type	2PCSPNP