ROHM Semicon DTA123JETL

Fabricante	ROHM SemiconAsian Brands
N.º de pieza fab.	DTA123JETL
Nº LCSC	C112135
Emb.	SOT-416
Número de Cliente
Atrib. clave	80@10mA,5V 300mV@5mA,250uA SOT-416 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Hoja de Datos	ROHM Semicon DTA123JETL

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	ROHM Semicon
Emb.	SOT-416
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,250uA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	ROHM Semicon
Emb.	SOT-416

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,250uA

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495+	$ 0.0131	$ 6.48
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	ROHM Semicon
Emb.	SOT-416
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,250uA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	ROHM Semicon
Emb.	SOT-416

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,250uA