Infineon BCV61CE6327HTSA1

Fabricante	InfineonAsian Brands
N.º de pieza fab.	BCV61CE6327HTSA1
Nº LCSC	C151493
Emb.	TO-253-4
Número de Cliente
Atrib. clave	30V 300mW 100mA 2PCSNPN(Base collector junction box) TO-253-4 Special Purpose Transistors
Hoja de Datos	Infineon BCV61CE6327HTSA1

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V

Tipo	Descripción
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

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1+	$ 0.3015	$ 0.30
10+	$ 0.294	$ 2.94
30+	$ 0.288	$ 8.64
100+	$ 0.2835	$ 28.35
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

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Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Special Purpose Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	TO-253-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	30V

Tipo	Descripción
Power Dissipation (Pd)	300mW
Collector Current (Ic)	100mA
Transistor Type	2PCSNPN(Base collector junction box)