TOSHIBA RN2105MFV,L3F(CT

Fabricante	TOSHIBAAsian Brands
N.º de pieza fab.	RN2105MFV,L3F(CT
Nº LCSC	C2929214
Emb.	SOT-723
Número de Cliente
Atrib. clave	80@10mA,5V 300mV@5mA,500uA SOT-723 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Hoja de Datos	TOSHIBA RN2105MFV,L3F(CT

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	TOSHIBA
Emb.	SOT-723
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	TOSHIBA
Emb.	SOT-723

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

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Cant.	Prec. unit.	Importo total
5+	$ 0.0875	$ 0.44
50+	$ 0.0689	$ 3.45
150+	$ 0.0585	$ 8.78
500+	$ 0.0523	$ 26.15
2,500+	$ 0.0469	$ 117.25
5,000+	$ 0.044	$ 220.00
Encapsulado Estándar8000/Full Reel

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Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	TOSHIBA
Emb.	SOT-723
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	TOSHIBA
Emb.	SOT-723

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@10mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@5mA,500uA