ROHM Semicon DTA114TUAT106

Fabricante	ROHM SemiconAsian Brands
N.º de pieza fab.	DTA114TUAT106
Nº LCSC	C2987910
Emb.	SOT-323-3
Número de Cliente
Atrib. clave	100@1mA,5V 300mV@10mA,1mA SOT-323-3 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Hoja de Datos	ROHM Semicon DTA114TUAT106

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	ROHM Semicon
Emb.	SOT-323-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	ROHM Semicon
Emb.	SOT-323-3

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

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Mínimo: 10Múltiplo: 10Unidad de venta: Piece

Cant.	Prec. unit.	Importo total
10+	$ 0.0407	$ 0.41
100+	$ 0.0334	$ 3.34
300+	$ 0.0297	$ 8.91
3,000+	$ 0.027	$ 81.00
6,000+	$ 0.0248	$ 148.80
9,000+	$ 0.0237	$ 213.30
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	ROHM Semicon
Emb.	SOT-323-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	ROHM Semicon
Emb.	SOT-323-3

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@1mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@10mA,1mA