Infineon BCR146E6327HTSA1

Fabricante	InfineonAsian Brands
N.º de pieza fab.	BCR146E6327HTSA1
Nº LCSC	C3588768
Emb.	SOT-23
Número de Cliente
Atrib. clave	50@5mA,5V 300mV@500uA,10mA SOT-23 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Hoja de Datos	Infineon BCR146E6327HTSA1

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	50@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@500uA,10mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	SOT-23

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	50@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@500uA,10mA

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200+	$ 0.0195	$ 3.90
500+	$ 0.0188	$ 9.40
1,000+	$ 0.0185	$ 18.50
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

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Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	50@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@500uA,10mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Infineon
Emb.	SOT-23

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	50@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@500uA,10mA