HXY MOSFET SS8050

Fabricante	HXY MOSFETAsian Brands
N.º de pieza fab.	SS8050
Nº LCSC	C5184428
Emb.	SOT-23
Número de Cliente
Atrib. clave	200@100mA,1V +150℃@(Tj) 100MHz 500mV@800mA,80mA SOT-23 Single Bipolar Transistors
Hoja de Datos	HXY MOSFET SS8050

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	200@100mA,1V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@800mA,80mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	200@100mA,1V

Tipo	Descripción
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@800mA,80mA

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50+	$ 0.0104	$ 0.52
500+	$ 0.0057	$ 2.85
3,000+	$ 0.0056	$ 16.80
6,000+	$ 0.0055	$ 33.00
51,000+	$ 0.0054	$ 275.40
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

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Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	200@100mA,1V
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@800mA,80mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	200@100mA,1V

Tipo	Descripción
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	100MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@800mA,80mA