HXY MOSFET 2SA1015

Fabricante	HXY MOSFETAsian Brands
N.º de pieza fab.	2SA1015
Nº LCSC	C5189099
Emb.	SOT-23
Número de Cliente
Atrib. clave	+150℃@(Tj) 80MHz 300mV@100mA,10mA SOT-23 Single Bipolar Transistors
Hoja de Datos	HXY MOSFET 2SA1015

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23

Tipo	Descripción
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Garantía en cada pedido

100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

En stock: 100

100 En stock, envío inmediato

Mínimo: 50Múltiplo: 50Unidad de venta: Piece

Añadir a la Lista BOM

Cant.	Prec. unit.	Importo total
50+	$ 0.0088	$ 0.44
500+	$ 0.0051	$ 2.55
3,000+	$ 0.0047	$ 14.10
24,000+	$ 0.0046	$ 110.40
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

¿Mejor precio por mayor cantidad?

$

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	HXY MOSFET
Emb.	SOT-23

Tipo	Descripción
Operating Temperature	+150℃@(Tj)
Transition Frequency (fT)	80MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	300mV@100mA,10mA