Nexperia PDTD114ETR

Fabricante	NexperiaAsian Brands
N.º de pieza fab.	PDTD114ETR
Nº LCSC	C552244
Emb.	SOT-23
Número de Cliente
Atrib. clave	70@50mA,5V 100mV@50mA,2.5mA SOT-23 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Hoja de Datos	Nexperia PDTD114ETR

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	70@50mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	100mV@50mA,2.5mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-23

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	70@50mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	100mV@50mA,2.5mA

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Cant.	Prec. unit.(Solo como referencia)	Importo total
20+	$ 0.0301	$ 0.60
200+	$ 0.0164	$ 3.28
600+	$ 0.0161	$ 9.66
3,000+	$ 0.0158	$ 47.40
9,000+	$ 0.0157	$ 141.30
21,000+	$ 0.0156	$ 327.60
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

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Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-23
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	70@50mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	100mV@50mA,2.5mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-23

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	70@50mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	100mV@50mA,2.5mA