Nexperia PUMD3,125

Fabricante	NexperiaAsian Brands
N.º de pieza fab.	PUMD3,125
Nº LCSC	C553517
Emb.	SOT-363
Número de Cliente
Atrib. clave	30@5mA,5V 150mV@10mA,0.5mA SOT-363 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Hoja de Datos	Nexperia PUMD3,125

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-363
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	30@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	150mV@10mA,0.5mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-363

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	30@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	150mV@10mA,0.5mA

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Mínimo: 10Múltiplo: 10Unidad de venta: Piece

Cant.	Prec. unit.	Importo total
10+	$ 0.054	$ 0.54
100+	$ 0.0444	$ 4.44
300+	$ 0.0396	$ 11.88
3,000+	$ 0.0359	$ 107.70
6,000+	$ 0.0331	$ 198.60
9,000+	$ 0.0316	$ 284.40
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-363
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	30@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	150mV@10mA,0.5mA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	Nexperia
Emb.	SOT-363

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	30@5mA,5V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	150mV@10mA,0.5mA