onsemi MMUN2113LT1G

Fabricante	onsemiAsian Brands
N.º de pieza fab.	MMUN2113LT1G
Nº LCSC	C891740
Emb.	SOT-23-3
Número de Cliente
Atrib. clave	80@5mA,10V 250mV@10mA,300uA SOT-23-3 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Hoja de Datos	onsemi MMUN2113LT1G

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-23-3

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

Garantía en cada pedido

100% Auténtico · Devolución o Reemplazo en 30 Días

En stock: 40

40 En stock, envío inmediato

No recomendado para nuevos diseños

Una vez agotadas las existencias, este producto pasará a "No disponible".

Avisarme

Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidad de venta: Piece

Cant.	Prec. unit.	Importo total
5+	$ 0.0741	$ 0.37
50+	$ 0.0724	$ 3.62
150+	$ 0.0714	$ 10.71
500+	$ 0.0703	$ 35.15
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Fabricante	onsemi
Emb.	SOT-23-3

Tipo	Descripción
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA,10V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA,300uA